63-8087-52 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 200 A 表面実装 パッケージH2PAK 8 ピン STH320N4F6-6
[STMicroelectronics] STH320N4F6-6 N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V DeepGate, STripFET, 8-Pin H2PAK STMicroelectronics
特徴
- NチャンネルSTripFET DeepGate、STMicroelectronics
- 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
仕様
- 入数：1リール（1000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：200 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：1.3 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：H2PAK
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：300 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-6850
