63-8034-87　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　8.3　A　表面実装　パッケージTSOP　6　ピン　IRLTS6342TRPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　30　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。
• さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1リール（3000個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：8.3　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：30　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：22　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：1.1V
• 最低ゲートしきい値電圧：0.5V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-12　V,　+12　V
• パッケージタイプ：TSOP
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：6
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2　W
• トランジスタ素材：Si
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：165-5842