63-8034-86 Nチャンネル パワーMOSFET 5.2 A 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン 1袋（20個入） IRLL2705TRPBF
[Infineon] IRLL2705TRPBF N-Channel MOSFET, 5.2 A, 55 V HEXFET, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 55 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
- レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：5.2 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：55 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：65 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V, +16 V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3+Tab
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.1 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：830-3304
