63-8034-85　Nチャンネル パワーMOSFET 5.2 A 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン 1セット（2500個入）　IRLL2705TRPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　55　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1リール（2500個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：5.2　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：55　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：65　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：2V
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-16　V,　+16　V
• パッケージタイプ：SOT-223
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2.1　W
• 寸法：6.7　x　3.7　x　1.739mm
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：168-8747