63-8031-88 デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 3.6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1袋（20個入） IRF7380TRPBF
[Infineon] IRF7380TRPBF Dual N-Channel MOSFET, 3.6 A, 80 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。
- さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
- レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：3.6 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：80 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：73 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2 W
- 標準入力キャパシタンス @ Vds：660 pF @ 25 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：826-8904
