63-8016-95 N+Pチャンネル パワーMOSFET 7.2 A、8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1セット（2500個入） SI4564DY-T1-GE3
[Vishay] SI4564DY-T1-GE3 Dual N/P-Channel MOSFET, 7.2 A, 8 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay
特徴
- デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1リール（2500個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：7.2 A、8 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：20 mΩ, 28 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.8V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V、-16 V、+16 V、+20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：3.1 W、3.2 W
- 寸法：5 x 4 x 1.55mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-7276
