63-8009-87 Nチャンネル IGBT 1200 V 80 A, 1MHz, 3-Pin D2PAK （TO-263） シングル 1袋（2個入） HGT1S10N120BNST
[ON Semiconductor] ON Semiconductor HGT1S10N120BNST IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin D2PAK (TO-263)
特徴
- ディスクリートIGBT、1000 V以上、Fairchild Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（2個入）
- 最大連続コレクタ電流：80 A
- 最大コレクタ- エミッタ間電圧：1200 V
- 最大ゲート-エミッタ間電圧：±20V
- 最大パワー消費：298 W
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- チャンネルタイプ：N
- ピン数：3
- スイッチングスピード：1MHz
- トランジスタ構成：シングル
- 長さ：10.67mm
- 幅：11.33mm
- 高さ：4.83mm
- 寸法：10.67 x 11.33 x 4.83mm
- 動作温度 Max：+150 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：807-6660
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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