63-7981-67　N, Pチャンネル MOSFET ±4.3 A, ±6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1セット（2500個入）　SI4532CDY-T1-GE3

特徴

• デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay　Semiconductor

仕様

• 入数：1リール（2500個入）
• チャンネルタイプ：N,　P
• 最大連続ドレイン電流：±4.3　A,　±6　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：30　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：65　mΩ,　140　mΩ
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：8
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• 最大パワー消費：2.78　W
• 標準ターンオフ遅延時間：14　ns,　20　ns
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：165-7226