63-7803-29　Pチャンネル パワーMOSFET 80 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン 1セット（1000個入）　SPB80P06PGATMA1

特徴

• Infineon　SIPMOSR　PチャンネルMOSFET
• Infineon　SIPMOS　R　小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80　Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。　SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。
• ・　AEC　Q101適合（データシートを参照してください）　・　無鉛めっき、RoHS対応

仕様

• 入数：1リール（1000個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：80　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：60　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：23　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2.1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：D2PAK　（TO-263）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：340　W
• 動作温度　Max：+175　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：911-0711