63-7803-15 Nチャンネル パワーMOSFET 30 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン 1セット(2500個入) IPD30N10S3L34ATMA1
[Infineon] IPD30N10S3L34ATMA1 N-Channel MOSFET, 30 A, 100 V OptiMOS T, 3-Pin DPAK Infineon
特徴
- Infineon OptiMOSTパワーMOSFET
- OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。
- Nチャンネル - 強化モード 車載AEC Q101認定 MSL1最大260 °Cのピークリフロー 175 °Cの動作温度 環境配慮製品(RoHS対応)
仕様
- 入数:1リール(2500個入)
- チャンネルタイプ:N
- 最大連続ドレイン電流:30 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:42 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧:2.4V
- 最低ゲートしきい値電圧:1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
- パッケージタイプ:DPAK (TO-252)
- 実装タイプ:表面実装
- トランジスタ構成:シングル
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:57 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs:24 nC @ 10 V
- RoHS適合状況:適合
- コード番号:911-4997