63-7802-06 ［取扱停止］Nチャンネル 小信号 MOSFETトランジスタ 190 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン BSP300H6327XUSA1
[Infineon] BSP300H6327XUSA1 N-Channel MOSFET Transistor, 190 mA, 800 V SIPMOS, 3+Tab-Pin SOT-223 Infineon
特徴
- Infineon SIPMOSR NチャンネルMOSFET
仕様
- 入数：1リール（1000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：190 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：800 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：20 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3+Tab
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：小信号
- 最大パワー消費：1.8 W
- 標準入力キャパシタンス @ Vds：170 pF @ 25 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：911-4861
