特徴
- デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：3.9 A、5.3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：72 mΩ, 150 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：3.1 W、3.4 W
- 寸法：5 x 4 x 1.5mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：710-3345
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|