63-7669-88　［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 1 A 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン 1袋（5個入）　FQT5P10TF

特徴

• QFETR　PチャンネルMOSFET、Fairchild　Semiconductor
• Fairchild　Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC　（力率補正）、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル（PDP）、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。　これらの製品では、オン抵抗（RDS（on））を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量（Qg）と出力静電容量（Coss）を低くすることでスイッチング損失を低減しています。　高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数（FOM）を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（5個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：1　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：100　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：1.05　Ω
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-30　V,　+30　V
• パッケージタイプ：SOT-223
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2000　mW
• 寸法：6.5　x　3.56　x　1.6mm
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：671-1068