63-7669-87　［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 1.7 A 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン 1セット（4000個入）　FQT7N10LTF

特徴

• QFETR　NチャンネルMOSFET、最大5.9　A、Fairchild　Semiconductor
• Fairchild　Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC　（力率補正）、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル（PDP）、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。　これらの製品では、オン抵抗（RDS（on））を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量（Qg）と出力静電容量（Coss）を低くすることでスイッチング損失を低減しています。　高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数（FOM）を発揮できます。

仕様

• 入数：1リール（4000個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：1.7　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：100　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：350　mΩ
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：SOT-223
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3+Tab
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2　W
• トランジスタ素材：Si
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：166-1755