63-7669-78 Nチャンネル パワーMOSFET 8.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1袋（10個入） FDS8884
[ON Semiconductor] FDS8884 N-Channel MOSFET, 8.5 A, 30 V PowerTrench, 8-Pin SOIC ON Semiconductor
特徴
- PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：8.5 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：23 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2500 mW
- 標準ターンオフ遅延時間：42 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：671-0722
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|