63-7669-77 Nチャンネル パワーMOSFET 8.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1セット(2500個入) FDS8884
[ON Semiconductor] FDS8884 N-Channel MOSFET, 8.5 A, 30 V PowerTrench, 8-Pin SOIC ON Semiconductor特徴
- PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor
仕様
- 入数:1リール(2500個入)
- チャンネルタイプ:N
- 最大連続ドレイン電流:8.5 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:23 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧:1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
- パッケージタイプ:SOIC
- 実装タイプ:表面実装
- トランジスタ構成:シングル
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:2.5 W
- 動作温度 Max:+150 °C
- RoHS適合状況:適合
- コード番号:166-2619
よくあるご質問(FAQ)
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|





