63-7651-41　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　89　A　表面実装　パッケージDPAK　（TO-252）　3　ピン　IRLR3705ZPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　55　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。　レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（5個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：89　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：55　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：8　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：3V
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：DPAK　（TO-252）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：130　W
• 標準ターンオン遅延時間：17　ns
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：650-4558