63-7649-69 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 51 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン IRFS52N15DPBF
[Infineon] IRFS52N15DPBF N-Channel MOSFET, 51 A, 150 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1チューブ（50個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：51 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：150 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：32 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5V
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：3.8 W
- 長さ：10.67mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：166-0959
