特徴
- NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：5.2 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：200 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：800 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-10 V, +10 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：3100 mW
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：609-4203
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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