特徴
- NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1チューブ（50個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：3.3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：200 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：1.5 Ω
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：TO-220AB
- 実装タイプ：スルーホール
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：36 W
- 寸法：10.41 x 4.7 x 9.01mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：178-0853
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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