63-7624-79　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　110　A　表面実装　パッケージD2PAK　（TO-263）　3　ピン　IRF3205SPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　55　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。　レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1個
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：110　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：55　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：8　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：D2PAK　（TO-263）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：200　W
• 標準ターンオフ遅延時間：50ns
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：542-9210