63-7579-63 デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1袋（5個入） STS4DNF60L
[STMicroelectronics] STS4DNF60L Dual N-Channel MOSFET, 4 A, 60 V STripFET, 8-Pin SOIC STMicroelectronics
特徴
- NチャンネルSTripFETデュアルMOSFET、STMicroelectronics
- 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：4 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：55 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-15 V, +15 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2 W
- 標準ターンオフ遅延時間：45ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：485-8358
