63-7560-84 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 5.2 A 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン 1袋（10個入） BSP603S2LHUMA1
[Infineon] BSP603S2LHUMA1 N-Channel MOSFET, 5.2 A, 55 V OptiMOS, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon
特徴
- Infineon OptiMOSパワーMOSFETファミリ
- OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。
- Nチャンネル - 強化モード 車載AEC Q101認定 MSL1最大260 °Cのピークリフロー 175 °Cの動作温度 環境配慮製品（鉛フリー） 超低Rds（on）
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：5.2 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：55 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：33 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.8 W
- 寸法：6.5 x 3.5 x 1.6mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：462-2935
