63-7350-29 Pチャンネル 小信号 MOSFETトランジスタ 1.9 A 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン 1セット（1000個入） BSP171PH6327XTSA1
[Infineon] BSP171PH6327XTSA1 P-Channel MOSFET Transistor, 1.9 A, 60 V SIPMOS, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon
特徴
- Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET
- Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。
- ・ AEC Q101適合（データシートを参照してください） ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様
- 入数：1リール（1000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：1.9 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：300 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3+Tab
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：小信号
- 最大パワー消費：1.8 W
- シリーズ：SIPMOS
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：911-4791
