特徴
- Infineon OptiMOSデュアルパワーMOSFET
仕様
- 入数：1リール（5000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：40 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：25 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：4.8 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：+20 V
- パッケージタイプ：TISON
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.5 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：133-6706
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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