63-7036-85 [取扱停止]Nチャンネル パワーMOSFET 100 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン BSC025N03LSGATMA1
[Infineon] BSC025N03LSGATMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V OptiMOS 3, 8-Pin TDSON Infineon
特徴
- Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、最大40 V
- OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。
- 高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 R DS(on) 鉛フリーめっき
仕様
- 入数:1リール(5000個入)
- チャンネルタイプ:N
- 最大連続ドレイン電流:100 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:3.6 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧:2.2V
- 最低ゲートしきい値電圧:1V
- 最大ゲート-ソース間電圧:+20 V
- パッケージタイプ:TDSON
- 実装タイプ:表面実装
- トランジスタ構成:シングル
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:83 W
- 動作温度 Min:-55 °C
- RoHS適合状況:適合
- コード番号:133-6579