63-7020-20 ［取扱停止］デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 7.8 A、8.9 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF7905TRPBF
[Infineon] IRF7905TRPBF Dual N-Channel MOSFET, 7.8 A, 8.9 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：7.8 A、8.9 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：21.3 mΩ, 29.3 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.25V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.35V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2 W
- 標準入力キャパシタンス @ Vds：600 pF @ 15 V、910 pF @ 15 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：130-0963
