特徴
- Infineon CoolMOS CEパワーMOSFET
仕様
- 入数:1袋(10個入)
- チャンネルタイプ:N
- 最大連続ドレイン電流:7.4 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:750 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:950 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧:3.5V
- 最低ゲートしきい値電圧:2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V
- パッケージタイプ:I2PAK (TO-262)
- 実装タイプ:スルーホール
- ピン数:3
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:68 W
- 動作温度 Min:-40 °C
- RoHS適合状況:適合
- コード番号:130-0910
よくあるご質問(FAQ)
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|





