63-6981-91　Nチャンネル　パワーMOSFET　35　A　スルーホール　パッケージTO-247　4　ピン　C3M0065100K

特徴

• シリコンカーバイドパワーMOSFET、C3Mシリーズ、Cree　Inc
• 新しいC3Mシリコンカーバイド（SiC）　MOSFET技術　ドレイン-ソース間絶縁破壊電圧（全動作温度範囲）：　1000　V以上　新しい低インピーダンスパッケージ（ドライバソース付）　ドレイン-ソース間の沿面距離　/　クリアランス：　8　mm　低出力静電容量での高速スイッチング　ドレイン-ソース間の低ON抵抗による高耐圧　アバランシェ耐久性　超低逆回復損失の高速真性ダイオード

仕様

• 入数：1個
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：35　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：1000　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：90　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：3.5V
• 最低ゲートしきい値電圧：1.8V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-8　V,　+19　V
• パッケージタイプ：TO-247
• 実装タイプ：スルーホール
• ピン数：4
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：113.5　W
• 長さ：16.13mm
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：125-3453