63-6964-62 Nチャンネル パワーMOSFET 20 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン 1セット（5000個入） BSZ100N06LS3GATMA1
[Infineon]
特徴
- Infineon OptiMOS3個のパワーMOSFET、60 → 80 V
- OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。
- 高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 x R DS（on）製品（FOM） 超低オン抵抗 R DS（on） 鉛フリーめっき
仕様
- 入数：1リール（5000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：20 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：17.9 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.7V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：TDSON
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.1 W
- 標準ターンオフ遅延時間：19 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：124-9038
