特徴
- Infineon OptiMOS5パワーMOSFET
仕様
- 入数：1リール（5000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：100 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：1.3 mΩ
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：TDSON
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：139 W
- 寸法：6.1 x 5.35 x 1.1mm
- RoHS適合状況：対象外
- コード番号：124-8822
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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