63-6962-87 Nチャンネル パワーMOSFET 99 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン 1セット（2000個入） IRLR3636TRPBF
[Infineon]
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1リール（2000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：99 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：8.3 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V, +16 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：143 W
- 標準入力キャパシタンス @ Vds：3779 pF @ 50 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：124-8776
