特徴
- デュアルNチャンネルMOSFETトランジスタ、ローム
仕様
- 入数：1袋（40個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：200 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：50 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：9 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：0.8V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-8 V, +8 V
- パッケージタイプ：SOT-563
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：ドライバMOSFET
- 最大パワー消費：150 mW
- 1チップ当たりのエレメント数：2
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：124-6572
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|