63-6948-65 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 123 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン NVD5890NLT4G
[ON Semiconductor]
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、40 V、ON Semiconductor
仕様
- 入数：1リール（2500個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：123 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：5.5 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：107 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：84 nC @ 10 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：124-5418
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|