特徴
- F-RAM、Cypress Semiconductor
- 強誘電体RAM （F-RAM）は、省エネを特長とし、シリアル及びパラレルの両方のインターフェイスに対応した最も信頼性の高い不揮発性RAMです。 接尾辞Aの付く部品は、車載用途向けに設計されており、AEC-Q100認定を受けています。
- 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様
- 入数：1個
- メモリサイズ：256kbit
- 構成：32 K x 8ビット
- インターフェースタイプ：パラレル
- データバス幅：8bit
- 最大ランダムアクセス時間：70ns
- 実装タイプ：表面実装
- パッケージタイプ：SOIC
- ピン数：28
- 寸法：18.11 x 7.62 x 2.37mm
- 長さ：18.11mm
- 幅：7.62mm
- 高さ：2.37mm
- 動作温度 Max：+85 °C
- 動作温度 Min：-40 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：124-2981
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|