63-6936-12　［取扱停止］SRAM　8Mbit　1　M　x　8ビット、512　K　x　16ビット　2.2　→　3.6　V　48-Pin　3.6　V　CY62157EV30LL-45BVXI

特徴

• 非同期マイクロパワー（MoBL）　SRAMメモリ、Cypress　Semiconductor
• MoBL低消費電力SRAMメモリデバイスは効率が高く、業界をリードするスタンバイ電力損失（最大）の仕様に適合します。

仕様

• 入数：1個
• メモリサイズ：8Mbit
• 構成：1　M　x　8ビット、512　K　x　16ビット
• ワード数：512K
• 1ワード当たりのビット数：8　bit,　16　bit
• 最大ランダムアクセス時間：45ns
• アドレスバス幅：8　bit,　16　bit
• クロック周波数：1MHz
• ローパワー：あり
• 実装タイプ：表面実装
• パッケージタイプ：VFBGA
• ピン数：48
• 寸法：6　x　8　x　0.79mm
• 高さ：0.79mm
• 動作温度　Min：-40　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：124-2943