63-6933-31 Nチャンネル パワーMOSFET 25 A 表面実装 パッケージPowerPAK 4 ピン SIHH26N60E-T1-GE3
[Vishay]
特徴
- NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor
- VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正（PFC）、スイッチモード電源（SMPS）などがあります。
- 特長
- 低性能指数（FOM）： RDS（on） x Qg 低入力静電容量（Ciss） 低オン抵抗（RDS（on）） 超低ゲート電荷（Qg） 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：25 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：600 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：135 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：PowerPAK
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：4
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：202 W
- 動作温度 Max：+150 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：124-2251
