63-6931-31 Pチャンネル パワーMOSFET 9.4 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン 1セット（2500個入） FQD11P06TM
[ON Semiconductor]
特徴
- 強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
- 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
仕様
- 入数：1リール（2500個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：9.4 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：185 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.5 W
- 幅：6.1mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：124-1719
