63-6931-30　Nチャンネル パワーMOSFET 9 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン 1セット（2500個入）　FQD12N20LTM

特徴

• QFETR　NチャンネルMOSFET、6　→　10.9　A、Fairchild　Semiconductor
• Fairchild　Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC　（力率補正）、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル（PDP）、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。　これらの製品では、オン抵抗（RDS（on））を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量（Qg）と出力静電容量（Coss）を低くすることでスイッチング損失を低減しています。　高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数（FOM）を発揮できます。

仕様

• 入数：1リール（2500個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：9　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：200　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：280　mΩ
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：DPAK　（TO-252）
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2.5　W
• 標準ターンオン遅延時間：15　ns
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：124-1718