特徴
- NチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc
仕様
- 入数：1リール（2500個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：11 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：14.9 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- 最大パワー消費：1.55 W
- 寸法：4.95 x 3.95 x 1.5mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：122-3280
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|