63-6821-83　［取扱停止］N+Pチャンネル　パワーMOSFET　4.4　A、5.4　A　表面実装　パッケージSOIC　8　ピン　ZXMC3A17DN8TA

特徴

• デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes　Inc.

仕様

• 入数：1リール（500個入）
• チャンネルタイプ：N,　P
• 最大連続ドレイン電流：4.4　A、5.4　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：30　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：65　mΩ
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：絶縁型
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2.1　W
• 動作温度　Min：-55　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：122-1452