63-6821-63 パワーMOSFET クワッドN+Pチャンネル 1 A 850 mA 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1セット(2500個入) ZXMHC10A07N8TC
[DiodesZetex]特徴
- 補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.
仕様
- 入数:1リール(2500個入)
- チャンネルタイプ:N, P
- 最大連続ドレイン電流:1 A, 850 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧:100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:1.45 Ω, 900 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧:4V
- 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
- パッケージタイプ:SOIC
- 実装タイプ:表面実装
- ピン数:8
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:1.36 W
- 標準入力キャパシタンス @ Vds:138 pF @ 60 V、141 pF @ -50 V
- RoHS適合状況:適合
- コード番号:122-1421
よくあるご質問(FAQ)
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|





