63-6818-36　Nチャンネル　IGBTモジュール　1200　V　469　A　11-Pin　SEMiXR3p　SEMiX303GB12E4p

特徴

• SEMiXRデュアルIGBTモジュール
• Semikronの現代的な低プロファイルSEMiXRパッケージのデュアルIGBTモジュールは、ハーフブリッジ電力制御用途に最適です。　このモジュールは、はんだ不使用のスプリング又はプレスフィットコンタクトを使用して、ゲートドライバをモジュールの上に直接取り付けることができるので、スペースを節約し、接続の信頼性を高めることができます。　主な用途は、ACインバータドライブ、UPS、電子溶接、及び再生可能エネルギーシステムなどです。　適合するプレスフィットゲートドライバモジュールについては、＜　122-0385'）　122-0385/　～　＜　122-0387'）　122-0387/を参照してください。
• ;　低プロファイルはんだ不使用取り付けパッケージ　;　トレンチゲートテクノロジーIGBT　;　温度係数が正のVCE（sat）　;　高短絡電流容量　;　プレスフィットピンを補助コンタクトとして使用　;　UL認定

仕様

• 入数：1個
• トランジスタ構成：シリーズ
• 最大連続コレクタ電流：469　A
• 最大コレクタ-　エミッタ間電圧：1200　V
• 最大ゲート-エミッタ間電圧：20V
• チャンネルタイプ：N
• 実装タイプ：スルーホール
• パッケージタイプ：SEMiXR3p
• ピン数：11
• 寸法：150　x　62.4　x　17mm
• 高さ：17mm
• 長さ：150mm
• 動作温度　Max：+175　°C
• 動作温度　Min：-40　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：122-0391