特徴
- NチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc
仕様
- 入数：1リール（2500個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：8.6 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：20 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1.6V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-25 V, +25 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.46 W
- 動作温度 Max：+150 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：122-0220
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|