63-6816-38 ［取扱停止］デュアル Pチャンネル パワーMOSFET 4.1 A 表面実装 パッケージWDFN 6 ピン NTLJD3115PT1G
[ON Semiconductor]
特徴
- デュアルPチャンネルMOSFET、ON Semiconductor
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：4.1 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：200 MΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-8 V, +8 V
- パッケージタイプ：WDFN
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：6
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.3 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：122-0145
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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