63-6813-41 N+Pチャンネル パワーMOSFET 2.1 A、3.4 A 表面実装 パッケージTSOT-26 6 ピン 1セット（3000個入） DMG6602SVT-7
[DiodesZetex]
特徴
- デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：2.1 A、3.4 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：100 mΩ, 140 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：TSOT-26
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.27 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：121-9598
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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