63-6809-33 ［取扱停止］N+Pチャンネル パワーMOSFET 2.5 A、3 A 表面実装 パッケージSOT-28FL、VEC8 8 ピン VEC2616-TL-W
[ON Semiconductor]
特徴
- デュアルN/PチャンネルMOSFET、ON Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：2.5 A、3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.116 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：2.6V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-28FL、VEC8
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1 W
- 1チップ当たりのエレメント数：2
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：121-7893
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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