63-6805-18 Pチャンネル パワーMOSFET 8.4 A 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン 1セット（4000個入） NTF6P02T3G
[ON Semiconductor]
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、20 V、ON Semiconductor
仕様
- 入数：1リール（4000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：8.4 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：70 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：+8 V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3+Tab
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：8.3 W
- 標準ターンオン遅延時間：7 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：121-6514
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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