63-6779-95 [取扱停止]Nチャンネル パワーMOSFET 25 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン STB33N60DM2
[STMicroelectronics]
特徴
- NチャンネルMDmesh DM2シリーズ、STMicroelectronics
- MDmesh DM2 MOSFETは、RDS(on)が低く、ダイオード逆回復時間が短くなったため効率が高くなっています。このシリーズは、フルブリッジ位相シフトZVSトポロジに合わせて最適化されています。
- 優れたdV/dt機能でシステムの信頼性を向上 AEC-Q101認定
仕様
- 入数:1袋(2個入)
- チャンネルタイプ:N
- 最大連続ドレイン電流:25 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:650 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:130 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧:5V
- 最低ゲートしきい値電圧:3V
- 最大ゲート-ソース間電圧:-25 V, +25 V
- パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)
- 実装タイプ:表面実装
- ピン数:3
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:190 W
- 1チップ当たりのエレメント数:1
- RoHS適合状況:適合
- コード番号:111-6461