63-6777-39 ［取扱停止］マイクロチップ 4Mbit フラッシュ メモリ SPI SQI 1.65 → 1.95 V 8-Pin SOIC SST26WF040B-104I/SN
[Microchip]
特徴
- SST26WF040B/080B/016BシリアルクワッドI/O （SQI） SuperFlashRフラッシュメモリ
- Microchip製のSST26WFxxxB製品ファミリは、4、8及び16ビットバリアントで使用可能なシリアルクワッドI/O （SQI）フラッシュメモリデバイスです。 これらのデバイスは、シリアルペリフェラルインターフェイス（SPI）プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。また、SRAMでコードシャドウイングを行う必要なしに最低レイテンシのExecute-in-Place （XIP）機能が可能になります。 SST26WFxxxBデバイスは、消費電力が低いため、ポータブルなバッテリ駆動用途に最適です。
- 特長
- 動作電圧範囲： 1.6 → 1.95 V クロック周波数： 最大104 MHz シリアルインターフェイスアーキテクチャ 低消費電力： アクティブ電流読み取り： 15 mA（104 MHz時の代表値）、スタンバイ電流： 10 μA（代表値） バーストモード： 連続リニアバースト、ラップアラウンド付き8/16/32/64バイトのリニアバースト ページプログラム： x1又はx4モードで1ページあたり256バイト 高速消去時間： セクタ / ブロック消去18 ms（代表値）、25 ms（最大値）、チップ消去35 ms（代表値）、50 ms（最大値） 柔軟性の高い消去機能 End-of-Write検出 Write-Suspend ソフトウェア保護 ソフトウェアリセット（RST）モード SFDP （シリアルフラッシュ検出可能パラメータ）
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- メモリサイズ：4Mbit
- インターフェースタイプ：SPI, SQI
- パッケージタイプ：SOIC
- ピン数：8
- 構成：1 M x 4ビット、2 M x 2ビット、4 M x 1ビット
- 実装タイプ：表面実装
- セルタイプ：スプリットゲート
- 動作供給電圧 Min：1.65 V
- 動作供給電圧 Max：1.95 V
- 長さ：4.9mm
- 高さ：1.25mm
- 幅：6mm
- 寸法：4.9 x 6 x 1.25mm
- ワード数：1M, 2M, 4M
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：111-5574
